特征
1) 高感光度,高产出率
2) 高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进
3) 广泛应用于全球半导体行业
参考工艺条件
前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)
曝光 ：G线步进式曝光机/接触式曝光机
显影 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 60秒 Puddle
清洗 ：去离子水30秒
后烘 ：120℃ 120秒 (DHP)
剥离 ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化